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的MirrorBit闪存系列

MirrorBit Flash Family

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S29GL256N10FFI010 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
S29GL256N10FFI010 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
*
零件状态
在售
标准包装
1

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3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology

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的MirrorBit闪存系列

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3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology

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的MirrorBit闪存系列

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3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology

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的MirrorBit闪存系列

MirrorBit Flash Family

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3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology

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S29GL256N10TFI010 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
S29GL256N10TFI010 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
GL-N
包装
托盘
零件状态
在售
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NOR
存储容量
256Mb (32M x 8,16M x 16)
写周期时间 - 字,页
100ns
访问时间
100ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
供应商器件封装
56-TSOP
标准包装
91
其它名称
428-4354 S29GL256N10TFI010-ND

S29GL256N11FFA010 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
S29GL256N11FFA010 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
汽车级,AEC-Q100,GL-N
零件状态
在售
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NOR
存储容量
256Mb (32M x 8,16M x 16)
写周期时间 - 字,页
110ns
访问时间
110ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
标准包装
1
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • S29GL256M10FAIR10
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 2.
  • S29GL256M10FAIR12
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 3.
  • S29GL256M10FAIR13
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 4.
  • S29GL256M10FAIR20
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 5.
  • S29GL256M10FAIR22
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 6.
  • S29GL256M10FAIR23
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 7.
  • S29GL256M10FFIR10
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

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  • 总160页

  • 8.
  • S29GL256M10FFIR12
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 9.
  • S29GL256M10FFIR13
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 10.
  • S29GL256M10FFIR20
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 11.
  • S29GL256M10FFIR22
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 12.
  • S29GL256M10FFIR23
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 13.
  • S29GL256M10TAIR10
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 14.
  • S29GL256M10TAIR12
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 15.
  • S29GL256M10TAIR13
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 16.
  • S29GL256M10TAIR20
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 17.
  • S29GL256M10TAIR22
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 18.
  • S29GL256M10TAIR23
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 19.
  • S29GL256M10TFIR10
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 20.
  • S29GL256M10TFIR12
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 21.
  • S29GL256M10TFIR13
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 22.
  • S29GL256M10TFIR20
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 23.
  • S29GL256M10TFIR22
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

  • SPANSION
  • 总160页

  • 24.
  • S29GL256M10TFIR23
  • 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术
    3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

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  • 总160页

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