[ ONSEMI ] NSBC144EPDXV6T1G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

双偏置电阻晶体管

Dual Bias Resistor Transistors

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NSBC144EPDXV6T1G 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
图片:
NSBC144EPDXV6T1G 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
47 千欧
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 5mA,10V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本零件编号
NSBC1*
标准包装
4,000
其它名称
NSBC144EPDXV6T1GOS NSBC144EPDXV6T1GOS-ND NSBC144EPDXV6T1GOSTR

[ ONSEMI ] NSBC144WDXV6T1 Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

双偏置电阻晶体管

Dual Bias Resistor Transistors

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[ ONSEMI ] NSBC144WF3 Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

数字晶体管( BRT ) R1 = 47千欧, R2 = 22 K·

Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 22 k

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[ ONSEMI ] NSBC144WPDP6 Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

互补偏置电阻晶体管R1 = 47千欧, R2 = 22 K·

Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 47 k, R2 = 22 k

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[ ONSEMI ] NSBC144WPDP6T5G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

互补偏置电阻晶体管R1 = 47千欧, R2 = 22 K·

Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 47 k, R2 = 22 k

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[ ONSEMI ] NSBC1XXXDXV6T1 Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

双偏置电阻晶体管

Dual Bias Resistor Transistors

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[ ONSEMI ] NSBC1XXXDXV6T1G Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

双偏置电阻晶体管

Dual Bias Resistor Transistors

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[ ONSEMI ] NSBC1XXXDXV6T5 Datasheet下载

厂商:

ON SEMICONDUCTOR

ONSEMI

ON SEMICONDUCTOR

描述:

双偏置电阻晶体管

Dual Bias Resistor Transistors

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NSBC144EPDXV6T5 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
图片:
NSBC144EPDXV6T5 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
47 千欧
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 5mA,10V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本零件编号
NSBC1*
标准包装
8,000
其它名称
NSBC144EPDXV6T5OS

NSBC144EPDXV6T5G 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
图片:
NSBC144EPDXV6T5G 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
47 千欧
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 5mA,10V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本零件编号
NSBC1*
标准包装
8,000
其它名称
NSBC144EPDXV6T5GOS
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
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