[ SANYO ] 2SK3816 Datasheet下载

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SANYO SEMICON DEVICE

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描述:

N沟道MOSFET硅通用开关设备

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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2SK3816-DL-1E 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3816-DL-1E 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
26 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
40nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1780pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.65W(Ta),50W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-263-2
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装
800

[ SANYO ] 2SK3817 Datasheet下载

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SANYO SEMICON DEVICE

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描述:

N沟道MOSFET硅通用开关设备

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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[ SANYO ] 2SK3818 Datasheet下载

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SANYO SEMICON DEVICE

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N沟道MOSFET硅通用开关设备

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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[ SANYO ] 2SK3819 Datasheet下载

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SANYO SEMICON DEVICE

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通用开关设备的应用

General-Purpose Switching Device Applications

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[ ETC ] 2SK382 Datasheet下载

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ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 500V V( BR ) DSS | 2A I( D) | TO- 220AB\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB

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[ SANYO ] 2SK3820 Datasheet下载

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SANYO SEMICON DEVICE

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描述:

N沟道MOSFET硅通用开关设备

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

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[ SANYO ] 2SK3821 Datasheet下载

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SANYO SEMICON DEVICE

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通用开关设备的应用

General-Purpose Switching Device Applications

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[ SANYO ] 2SK3822 Datasheet下载

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SANYO SEMICON DEVICE

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通用开关设备的应用

General-Purpose Switching Device Applications

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2SK3816-DL-E 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3816-DL-E 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
26 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
40nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1780pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.65W(Ta),50W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SMP-FD
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1,000

2SK3817-DL-E 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3817-DL-E 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
60A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
15 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3500pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.65W(Ta),65W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SMP-FD
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
1,000
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • 2SK3815
  • 通用开关设备的应用
    General-Purpose Switching Device Applications

  • SANYO
  • 总4页

  • 2.
  • 2SK3815
  • 通用开关设备的应用
    General-Purpose Switching Device Applications

  • SANYO
  • 总4页

  • 3.
  • 2SK3815
  • N沟道MOSFET硅通用开关设备的应用
    N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

  • SANYO
  • 总5页

  • 4.
  • 2SK3815_07
  • N沟道MOSFET硅通用开关设备的应用
    N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

  • SANYO
  • 总5页

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