[ FUJI ] 2SK3340-01 Datasheet下载

厂商:

FUJI ELECTRIC

FUJI

FUJI ELECTRIC

描述:

N沟道硅功率MOS -FET

N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

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2SK3342(TE16L1,NQ) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK3342(TE16L1,NQ) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
10nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
440pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
20W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000

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FUJI ELECTRIC

FUJI

FUJI ELECTRIC

描述:

N沟道硅功率MOS -FET

N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

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FUJI ELECTRIC

FUJI

FUJI ELECTRIC

描述:

N沟道硅功率MOS -FET

N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

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[ TOSHIBA ] 2SK3342 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( MOSV )

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSV)

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[ TOSHIBA ] 2SK3342 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

开关稳压器和DC- DC转换器应用电机驱动应用

Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications

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[ TOSHIBA ] 2SK3342 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

硅N沟道MOS型开关稳压器和DC- DC转换器应用电机驱动应用

Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications

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[ TOSHIBA ] 2SK3342 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( MOSV )

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSV)

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[ ETC ] 2SK3342(SMD) Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V( BR ) DSS | 4.5AI (D ) | TO- 252AA\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-252AA

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2SK33720RL 品牌:Panasonic Electronic Components

分类:
晶体管 - JFET
图片:
2SK33720RL 图片
制造商
Panasonic Electronic Components
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
漏源电压(Vdss)
20V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
107μA @ 2V
漏极电流(Id) - 最大值
2mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
100mW
工作温度
-20°C ~ 80°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
SSS迷你型3-F1
基本零件编号
2SK3372
标准包装
10,000
其它名称
2SK33720RLTR

2SK33720RL 品牌:Panasonic Electronic Components

分类:
晶体管 - JFET
图片:
2SK33720RL 图片
制造商
Panasonic Electronic Components
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
漏源电压(Vdss)
20V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
107μA @ 2V
漏极电流(Id) - 最大值
2mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
100mW
工作温度
-20°C ~ 80°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
SSS迷你型3-F1
基本零件编号
2SK3372
标准包装
1
其它名称
2SK33720RLCT
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • 2SK3340-01
  • N沟道硅功率MOS -FET
    N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

  • FUJI
  • 总4页

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