[ NEC ] 2SJ463 Datasheet下载

厂商:

NEC

NEC

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描述:

P沟道MOS场效应晶体管高速开关

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

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2SJ610(TE16L1,NQ) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SJ610(TE16L1,NQ) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2.55 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
24nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
381pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
20W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000

[ NEC ] 2SJ463 Datasheet下载

厂商:

NEC

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P沟道MOS场效应晶体管高速开关

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

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[ NEC ] 2SJ463A Datasheet下载

厂商:

NEC

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P沟道MOS场效应晶体管高速开关

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

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[ TOSHIBA ] 2SJ464 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用

Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

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[ TOSHIBA ] 2SJ464 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

P沟道MOS型(高速,大电流开关, CHOPPOER稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用)

P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPOER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

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[ TOSHIBA ] 2SJ464 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用

Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

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[ TOSHIBA ] 2SJ464_07 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用

Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

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[ TOSHIBA ] 2SJ464_09 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用

Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

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2SJ649-AZ 品牌:Renesas Electronics America

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SJ649-AZ 图片
制造商
Renesas Electronics America
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
48 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
38nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1900pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta),25W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 隔离的标片
封装/外壳
TO-220-3 隔离片
标准包装
25
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

2SJ652 品牌:ON Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SJ652 图片
制造商
ON Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
28A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
38 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
80nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4360pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta),30W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220ML
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
100
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • 2SJ462
  • P沟道MOS场效应晶体管高速开关
    P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

  • NEC
  • 总6页

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